NB686 大电流同步降压变换器_中文资料_MPS芯源

NB686可为DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4存储器应用提供整套高密度电源解决方案。它集成一个高频同步整流降压开关变换器（VDDQ），具有1 A的灌/拉电流LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。

NB686基于MPS独有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率MOSFET，能在宽输出电流负载范围内高效工作。

自适应恒定导通时间（COT）控制模式提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。DC自动调节环路可提供较好的负载和线性调整率。

VTT LDO提供了1A的灌/拉电流能力，输出电容仅需22μF的陶瓷电容即可。VTTREF追踪VDDQ/2的值，精度为1%。

全方位的保护功能包括过流限制保护、过压保护、欠压保护、过温关断保护和过温警报功能（OTW）。

该变换器采用QFN 3mm x 3mm封装，最大限度地减少了外部元器件的使用数量。

NB686产品特性和优势

4.5 V至26 V宽工作输入电压范围

兼容IMVP8

135μA低静态电流

8 A连续输出电流

9A峰值输出电流

可选超音频模式

可选500 kHz/700 kHz开关频率

内置+/-1 A VTTLDO

1%缓冲VTTREF输出

用于快速瞬态响应的自适应COT

DC自动调节环路

采用POSCAP和陶瓷输出电容可稳定工作

过温警报功能（OTW）

内部软启动

输出放电功能

OCL、OVP、UVP和过温关断保护

通过EN或电源重启锁定复位

采用QFN 3mm x 3mm封装。

正在供货产品型号：NB686GQ-P NB686GQ-Z