NB685 同步降压变换器_NB685中文资料_MPS芯源

NB685可为DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4存储器应用提供整套高密度电源解决方案。它集成了一个高频同步整流降压开关变换器（VDDQ），具有1A的灌/拉电流LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。

NB685基于MPS独有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率MOSFET，能在宽输出电流负载范围内高效工作。自适应恒定导通时间控制模式（COT）提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。DC自动调节环路提供了较好的负载和线性调整率。VTT LDO提供了1A的灌/拉电流能力，输出电容仅需22μF的陶瓷电容即可。VTTREF追踪VDDQ/2的值，精度为1%。全方位的保护功能包括过流限保护、过压保护、欠压保护、过温关断保护和过温警报功能（OTW）。

该变换器采用QFN 3mm x 3mm封装，最大限度地减少了外部元器件的使用数量。

NB685产品特性和优势

4.5V至26V宽输入工作电压范围

兼容IMVP8

135μA低静态电流

12 A连续输出电流

13 A峰值输出电流

可选的超音频模式

500K/750k可选开关频率

内置+/-1A VTTLDO

1%的低噪声VTTREF输出

用于快速瞬态响应的自适应COT

DC自动调节环路

采用POSCAP和陶瓷输出电容器可稳定工作

过温警报功能（OTW）

内部软启动

输出放电功能

OCL,OVP,UVP和过温关断保护

通过EN或电源重启锁定复位

采用QFN 3mm x 3mm封装。

正在供货产品型号：NB685GQ-P NB685GQ-Z