LPM3400B3F N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
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人气：发表时间：2024-01-25 15:58
LPM3400是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。
这些设备特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他需要高侧开关的电池供电电路。
1、特点
•20V/4.2A，RDC（ON）≤50mΩ（典型值）VGS=4.5V
•20V/3.9A，RDC（ON）≤63mΩ（典型值）VGS=2.5V
•20V/3.0A，RDC（ON）≤87mΩ（典型值）VGS=1.8V
•超高密度电池设计，适用于极低RDC（ON）
•SOT23包
2、应用
•便携式媒体播放器
•蜂窝和智能手机
•液晶显示器
•DSC传感器
•无线网卡
此文关键字：LPM3400B3F
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