LPM3400B3F N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

LPM3400是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。

 

 

 

这些设备特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他需要高侧开关的电池供电电路。

 

 

1、特点

 

•20V/4.2A，RDC（ON）≤50mΩ（典型值）VGS=4.5V

 

•20V/3.9A，RDC（ON）≤63mΩ（典型值）VGS=2.5V

 

•20V/3.0A，RDC（ON）≤87mΩ（典型值）VGS=1.8V

 

•超高密度电池设计，适用于极低RDC（ON）

 

•SOT23包

 

 

 

2、应用

 

•便携式媒体播放器

 

•蜂窝和智能手机

 

•液晶显示器

 

•DSC传感器

 

•无线网卡